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這也是為什么許多線路板在高頻率器件VCC引腳處置放小電容的緣故之一（在vcc腳位上一般串聯一個去藕電容，那樣溝通交流份量就從這一電容接地裝置。）配備標準以下：開關電源鍵入端跨接線一個10～100uF的電解電容器，假如印制電路板的部位容許，選用100uF之上的電解電容器的抗干擾性實際效果會更好。為每一個集成電路芯片芯片配備一個0.01uF的瓷器電容器。如碰到印制電路板室內空間小而放不進時，可每4～10個芯片配備一個1～10uF鉭電解電容器，這類器件的高頻率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范疇內特性阻抗低于1Ω，并且泄露電流不大（0.5uA下列）。針對噪音工作能力弱、關閉時電流量轉變大的器件和ROM、RAM等儲存型器件，應在芯片的電源插頭（Vcc）和接地線（GND）間立即連接去耦電容。去耦電容的導線不可以太長，尤其是高頻率旁通電容不可以帶導線。

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電容器回收類型復雜，但不管再如何歸類，其基本概念全是運用電容對交替變化數據信號呈低阻情況。電流的磁場的頻率f越高，電容的特性阻抗就越低。旁通電容起的關鍵功效是給交流數據信號給予低特性阻抗的通道;去耦電容的關鍵作用是給予一個部分的直流穩壓電源給有源器件，以降低電源開關噪音在板上的散播和將噪音正確引導到地，添加去耦電容后工作電壓的諧波失真影響會顯著減少;過濾電容常見于低通濾波器中。針對理想化的電容器而言，不考慮到內寄生電感器和電阻的危害，那麼在電容設計方案上就沒有一切顧忌，電容的值越大越好。但具體情況卻相距很遠，并并不是電容越大對快速電源電路越有益，反倒小電容才可以被運用于高頻率。過濾電容用在開關電源逆變電路中，用于濾掉交流成份，使輸出的直流電更光滑。去耦電容用在運算放大器中不用交流的地區，用于清除自激振蕩，使放大儀穩定工作。旁通電容用在有電阻聯接時，接在電阻兩邊使交流數據信號順利根據。

電容器回收一般都能夠當做一個RLC串連實體模型。在某一頻率，會產生串聯諧振，這時電容的特性阻抗就相當于其ESR。假如看電容的頻率特性阻抗趨勢圖，便會發覺一般全是一個V形的曲線圖。實際曲線圖與電容的物質相關，因此挑選旁通電容還需要考慮到電容的物質，一個較為商業保險的方式 便是多并好多個電容。去耦電容在集成電路開關電源和地中間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁通掉該元器件的高頻率噪聲。數字電路設計中典型性的去耦電容值是0.1μF。這一電容的遍布電感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的遍布電感器，它的并行處理共振頻率大概在7MHz上下，換句話說，針對10MHz下列的噪聲有不錯的去耦實際效果，對40MHz之上的噪聲基本上失靈。1μF、10μF的電容，并行處理共振頻率在20MHz之上，除去高頻率噪聲的實際效果好些一些。每10片上下集成電路得加一片蓄電池充電電容，或一個蓄能電容，可選10μF上下。